近期，工業(yè)和信息化部公開征求對《新型儲能制造業(yè)高質(zhì)量發(fā)展行動(dòng)方案（征求意見稿）》的意見，征求意見稿提及，聚焦系統(tǒng)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、精細(xì)化電池管理、大功率高效變流器開發(fā)、高效熱管理和能量管理、輔助設(shè)備集成、高性能預(yù)制艙等技術(shù)開展集中攻關(guān)，提高先進(jìn)功率半導(dǎo)體、智能傳感器、電源管理芯片等關(guān)鍵核心部件供給能力。其中，功率半導(dǎo)體被提及，引發(fā)關(guān)注。以下將以時(shí)間順序梳理一下近一個(gè)月來碳化硅（SiC）市場、合作、應(yīng)用和新產(chǎn)品發(fā)布的動(dòng)態(tài)變化情況。
市場預(yù)期尚可
綜合Yole和Trendforce的數(shù)據(jù)，2023年全球SiC、氮化鎵（GaN）功率電子市場規(guī)模達(dá)到了約30.7億美元，其中電動(dòng)和混合動(dòng)力汽車（EV/HEV）市場占比高達(dá)70%，成為該領(lǐng)域的核心驅(qū)動(dòng)力。據(jù)Yole預(yù)測，全球功率半導(dǎo)體器件市場將迎來快速增長，從2023年的約230億美元增至2028年的333億美元，其中SiC和GaN功率電子總體市場占比有望達(dá)到32%，市場規(guī)模約109.5億美元。
在國內(nèi)市場，CASA Research統(tǒng)計(jì)顯示，2023年SiC、GaN功率器件模組市場規(guī)模約為153.2億元，同比增長45%。第三代半導(dǎo)體在功率電子領(lǐng)域的滲透率已超過12%，進(jìn)入高速增長階段。在國內(nèi)，新能源汽車（包括充電基礎(chǔ)設(shè)施）是第三代半導(dǎo)體功率電子的最大應(yīng)用領(lǐng)域，市場占比高達(dá)70.67%，消費(fèi)類電源和PFC分別占比11.16%和5.78%。
10月中國新能源車市場零售119.6萬輛同比增逾五成。乘聯(lián)分會公布國內(nèi)乘用車市場最新統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，10月國內(nèi)新能源車零售滲透率52.9%。中國汽車工業(yè)協(xié)會稱，我國新能源汽車年產(chǎn)量首次突破1000萬輛，同時(shí)也是全球首個(gè)新能源汽車年度達(dá)產(chǎn)1000萬輛的國家。專家預(yù)計(jì)，這一數(shù)字到年底還有望超過1200萬輛。
關(guān)于SiC價(jià)格，世界先進(jìn)董事長方略指出，SiC芯片代工領(lǐng)域并未出現(xiàn)降價(jià)趨勢。他說，近期SiC降價(jià)主要發(fā)生在襯底端，而代工的制程端價(jià)格保持穩(wěn)定。高昂的襯底成本是SiC價(jià)格居高不下的主因，盡管襯底市場產(chǎn)能過剩導(dǎo)致價(jià)格下降，但代工環(huán)節(jié)的成本并未因此減少。方略還提到，SiC尚未廣泛應(yīng)用8英寸晶圓，限制了成本效益。不過，襯底降價(jià)有助于擴(kuò)大SiC應(yīng)用，對晶圓代工廠是利好。此外，8英寸晶圓廠在技術(shù)和設(shè)備上有明顯優(yōu)勢，而12英寸晶圓廠短期內(nèi)不太可能進(jìn)入化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域。
大興土木加開業(yè)投產(chǎn)
美國阿肯色大學(xué)電氣工程系獲美國能源部近100萬美元獎(jiǎng)金，用于研究更小、更可靠的電動(dòng)汽車快速充電站。研究團(tuán)隊(duì)計(jì)劃開發(fā)SiC高壓電源模塊原型，將電壓提升至15千伏以上，以縮小充電器體積。該項(xiàng)目將與橡樹嶺國家實(shí)驗(yàn)室合作，未來有望提高電網(wǎng)效率。
泰國將建首個(gè)SiC晶圓工廠，投資3.5億美元，預(yù)計(jì)2027年投產(chǎn)。該工廠由Hana Microelectronics和PTT Group合資的FT1 Corporation建設(shè)，采用韓國技術(shù)生產(chǎn)6、8英寸晶圓，以滿足汽車、數(shù)據(jù)中心和儲能市場需求。泰國投資委員會秘書長9月20日視察項(xiàng)目進(jìn)展，強(qiáng)調(diào)泰國中立地緣政治、低成本、基礎(chǔ)設(shè)施完善及熟練勞動(dòng)力等優(yōu)勢，進(jìn)一步鞏固了泰國作為半導(dǎo)體投資目的地的吸引力。
韓國SK Siltron獲美國能源部4.815億美元（約35億人民幣）貸款，用于擴(kuò)大其在美車規(guī)級SiC晶圓制造。SK Siltron在密歇根州擁有兩家SiC工廠，正擴(kuò)建第二家，預(yù)計(jì)2025年完成，屆時(shí)6英寸SiC襯底年產(chǎn)能將達(dá)50萬片。今年1月，SK還與英飛凌簽SiC晶圓供應(yīng)協(xié)議，支持其產(chǎn)能擴(kuò)充，并計(jì)劃向8英寸過渡。此舉將加速全球SiC材料市場競爭。
四川內(nèi)江市生態(tài)環(huán)境局公示，奧通碳素（內(nèi)江）科技有限公司擬建年產(chǎn)2000噸等靜壓石墨及0.12噸SiC晶錠項(xiàng)目，總投資1.5億，租賃7800平米廠房。項(xiàng)目含磨粉、混捏等生產(chǎn)線及拉晶線，焙燒和石墨化委外，現(xiàn)進(jìn)行環(huán)評報(bào)告表批復(fù)公示。
江蘇超芯星半導(dǎo)體有限公司的“SiC襯底關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”已竣工驗(yàn)收并穩(wěn)定運(yùn)營。該項(xiàng)目位于南京江北新區(qū)，年產(chǎn)3萬片SiC襯底，總投資3億元。因原廠房規(guī)模不足，項(xiàng)目遷建至集成電路產(chǎn)業(yè)化基地，現(xiàn)已竣工并試生產(chǎn)成功。
晶瑞電子在寧夏銀川的“SiC襯底晶片生產(chǎn)基地項(xiàng)目”已通過水土保持驗(yàn)收，占地17.94公頃，總投資33.6億，預(yù)計(jì)年產(chǎn)40萬片6英寸及以上SiC襯底。項(xiàng)目于2022年4月啟動(dòng)，計(jì)劃2024年12月完工，現(xiàn)部分區(qū)域正綠化，屬晶盛機(jī)電控股。
蘇州晶瓴半導(dǎo)體有限公司“高質(zhì)量SiC異質(zhì)晶圓研發(fā)新建項(xiàng)目”已竣工并驗(yàn)收。該項(xiàng)目總投資2450萬元，位于蘇州工業(yè)園區(qū)，租賃1000平方米房屋。晶瓴半導(dǎo)體成立于2023年7月，擁有核心技術(shù)，已完成種子輪融資，正為量產(chǎn)8英寸SiC晶圓做準(zhǔn)備，預(yù)計(jì)2025年底實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
合肥鈞聯(lián)汽車電子一期項(xiàng)目竣工，總投資5000萬元，位于合肥經(jīng)開區(qū)，租賃面積3528m2，建設(shè)電機(jī)控制器/電驅(qū)動(dòng)生產(chǎn)線，預(yù)計(jì)年產(chǎn)電機(jī)控制器20萬臺、電驅(qū)動(dòng)總成10萬套。同時(shí)，鈞聯(lián)與博世深入交流，推動(dòng)SiC芯片應(yīng)用。自研800V SiC電驅(qū)總成已上車創(chuàng)維EV6 II。
晶馳機(jī)電半導(dǎo)體材料研發(fā)生產(chǎn)項(xiàng)目投產(chǎn)儀式在正定舉行，該項(xiàng)目專注三代、四代半導(dǎo)體材料裝備研發(fā)，核心產(chǎn)品為金剛石與SiC外延設(shè)備。項(xiàng)目落成后，將吸引上下游產(chǎn)業(yè)鏈入駐正定，對促進(jìn)當(dāng)?shù)馗哔|(zhì)量發(fā)展具有重要示范意義。
鼎龍（仙桃）新材料有限公司年產(chǎn)萬噸納米研磨粒子項(xiàng)目一階段已驗(yàn)收。該項(xiàng)目2022年規(guī)劃，總投資2.7億（一階段1.4億），征地88057.56m2，建設(shè)內(nèi)容包括潔凈車間、倉庫等設(shè)施。現(xiàn)已建成1條高純納米研磨粒子、4條半導(dǎo)體用納米研磨粒子生產(chǎn)線，年產(chǎn)各5000噸，完成一階段環(huán)保驗(yàn)收。
北一半導(dǎo)體投資20億元，在穆棱經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)建設(shè)晶圓工廠項(xiàng)目。項(xiàng)目一期占地2.7萬平方米，建筑面積達(dá)3萬平方米，引進(jìn)國際先進(jìn)的6英寸晶圓生產(chǎn)線，預(yù)計(jì)年產(chǎn)6英寸晶圓100萬片。該項(xiàng)目的實(shí)施將填補(bǔ)黑龍江省功率半導(dǎo)體晶圓制造產(chǎn)業(yè)的空白，并推動(dòng)北一半導(dǎo)體成為國內(nèi)領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體IDM全產(chǎn)業(yè)鏈生產(chǎn)基地。
天科合達(dá)宣布二期項(xiàng)目開工，旨在打造領(lǐng)先智能化生產(chǎn)線，量產(chǎn)8英寸SiC襯底，提升產(chǎn)能，鞏固市場地位。公司產(chǎn)品已達(dá)國際先進(jìn)水平，暢銷20多國，是少數(shù)進(jìn)入國際知名企業(yè)的高端技術(shù)產(chǎn)品。二期項(xiàng)目將推動(dòng)技術(shù)進(jìn)步，優(yōu)化生產(chǎn)流程，降低成本，為公司注入新動(dòng)力。
山西華芯半導(dǎo)體晶體材料產(chǎn)業(yè)基地二期基建竣工，設(shè)備即將安裝。作為省重點(diǎn)工程，該項(xiàng)目致力于半導(dǎo)體晶體材料的研發(fā)、加工與銷售，二期將聚焦多種半導(dǎo)體材料研發(fā)生產(chǎn)，包括大尺寸藍(lán)寶石及第三四代半導(dǎo)體化合物晶體。項(xiàng)目全面建成后，預(yù)計(jì)年產(chǎn)半導(dǎo)體晶片襯底720萬片，為山西省半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展注入新活力，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)升級。
康佳子公司康佳芯云專注存儲領(lǐng)域，總投資20億項(xiàng)目占地100畝，分兩期實(shí)施，一期投資10億用于存儲芯片封測。康佳芯云加強(qiáng)與高校合作，投入500萬拓展產(chǎn)品線，計(jì)劃實(shí)現(xiàn)材料和測試設(shè)備國產(chǎn)化替代，減少外部依賴。公司致力于技術(shù)創(chuàng)新和市場拓展，構(gòu)建核心競爭力，為客戶提供安全可靠的半導(dǎo)體解決方案，為國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自主創(chuàng)新貢獻(xiàn)力量。
六方科技計(jì)劃投資8000萬元，將原有建設(shè)內(nèi)容整體搬遷至三馬廠區(qū)，并租用新廠房擴(kuò)建SiC和TaC生產(chǎn)線。項(xiàng)目完成后，三馬廠區(qū)將年產(chǎn)SiC涂層石墨載盤3000套，西子廠區(qū)年產(chǎn)SiC涂層3900套、TaC涂層14000套。
江蘇漢印機(jī)電計(jì)劃在鹽城高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)投資1.2億元，租賃18450平方米廠房，引進(jìn)50余套設(shè)備，建設(shè)SiC外延CVD設(shè)備研究和試驗(yàn)項(xiàng)目，已取得備案。此前，漢印機(jī)電已投資10億元，啟動(dòng)半導(dǎo)體裝備項(xiàng)目，新上40臺（套）設(shè)備，可年產(chǎn)20萬片SiC外延片。
寶士曼第三代半導(dǎo)體及集成電路專用設(shè)備研發(fā)生產(chǎn)項(xiàng)目一期主體完工，預(yù)計(jì)2025年3月投產(chǎn)。項(xiàng)目占地50畝，建面7.5萬平米，總投資10億元，2024年計(jì)劃投資3.5億元。項(xiàng)目建成后年產(chǎn)半導(dǎo)體封裝設(shè)備250套，年產(chǎn)值預(yù)計(jì)8.5億元。
珠海奕源半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目總投資約100億元，于金灣區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園開工。該項(xiàng)目由北京奕斯偉集團(tuán)打造，集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售于一體，整體規(guī)劃267畝，分兩期建設(shè)，一期預(yù)計(jì)2026年2月投產(chǎn)。核心產(chǎn)品包括SiC功率模組載板等半導(dǎo)體關(guān)鍵材料。
專注于車規(guī)級SiC制造及模組封裝一站式系統(tǒng)解決方案的芯聯(lián)動(dòng)力近期發(fā)生工商變更，新增18家股東，包括北京小米智造股權(quán)投資基金合伙企業(yè)、先進(jìn)制造產(chǎn)業(yè)投資基金二期、浙江省產(chǎn)業(yè)基金有限公司及東風(fēng)汽車旗下信之風(fēng)股權(quán)投資基金合伙企業(yè)等。此次變更后，芯聯(lián)動(dòng)力的注冊資本由5億人民幣增加至約6.6億人民幣。
中車轉(zhuǎn)型升級基金投資常州科瑞爾科技，該公司是功率半導(dǎo)體核心封裝設(shè)備制造商，具備IGBT模塊自動(dòng)化產(chǎn)線設(shè)計(jì)和單站核心設(shè)備研發(fā)能力，產(chǎn)品獲國內(nèi)外頭部廠商認(rèn)可?？迫馉栕灾餮邪l(fā)了包括SiC倒裝貼合設(shè)備在內(nèi)的十幾種核心設(shè)備，并已在今年6月完成A+輪融資，投資方為常高新集團(tuán)。
臻驅(qū)科技旗下新能源汽車用電機(jī)控制器項(xiàng)目投產(chǎn)儀式在安徽省蕪湖市繁昌經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)舉行。該項(xiàng)目的投產(chǎn)標(biāo)志著臻驅(qū)科技在新能源汽車電機(jī)控制器領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)化能力得到進(jìn)一步提升，此項(xiàng)目作為臻驅(qū)科技提升產(chǎn)業(yè)化能力的核心環(huán)節(jié)，未來將肩負(fù)起包括奇瑞在內(nèi)的一流整車廠的量產(chǎn)配套重任。
溫嶺半導(dǎo)體孵化園迎來晶能微電子車規(guī)級半導(dǎo)體封測基地二期動(dòng)工。自2023年5月簽約，一期Si/SiC器件生產(chǎn)線7月投產(chǎn)，預(yù)期產(chǎn)值逾2億。二期新增研產(chǎn)銷一體設(shè)施，一期生產(chǎn)線將遷移，目標(biāo)2026年竣工。
常州銀芯微功率半導(dǎo)體新模塊代工廠于新北區(qū)盛大啟幕。該工廠專注于IGBT與碳化硅功率模塊研發(fā)生產(chǎn)，覆蓋多類型模塊封裝，如34mm/48mm/62mm半橋、PM、EconoDual、HPI、HPD等。占地約4000平米，月產(chǎn)達(dá)20萬只。銀芯微，2024年成立，銀河微電與上海陸芯合資。
晶馳機(jī)電半導(dǎo)體材料裝備研發(fā)生產(chǎn)基地在嘉興隆重揭幕,預(yù)計(jì)滿產(chǎn)年?duì)I收1.4億。成立于2023年的晶馳機(jī)電，主營6/8英寸碳化硅LPCVD、金剛石MPCVD設(shè)備，氮化鋁、碳化硅、氧化鎵晶體生長裝置，及相關(guān)熱處理設(shè)備。此外，晶馳在石家莊亦有研發(fā)生產(chǎn)基地，11月初啟動(dòng)，專注金剛石與碳化硅設(shè)備，致力于第三代、四代半導(dǎo)體材料全產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展。
Vishay正加速英國紐波特8英寸SiC工廠建設(shè)，首期投資5100萬英鎊（約4.65億人民幣）。2023年11月，Vishay以1.77億美元收購安世半導(dǎo)體8英寸硅晶圓廠，轉(zhuǎn)型為SiC/GaN基地，助推SiC MOSFET商用。已確認(rèn)5100萬英鎊作為一階建設(shè)計(jì)劃，含威爾士政府500萬英鎊資助。
業(yè)績有喜有憂
SiC芯片大廠Wolfspeed宣布CEO Gregg Lowe辭職，以應(yīng)對電動(dòng)汽車和工業(yè)、能源市場需求放緩。此舉旨在推動(dòng)公司長期發(fā)展。同時(shí)，Wolfspeed計(jì)劃關(guān)閉一家工廠，裁員約1000人，并放棄德國建廠計(jì)劃，以降低成本。這預(yù)示著SiC要賺錢還有很長的路要走。
Wolspeed發(fā)布2025財(cái)年Q1財(cái)報(bào)，營收約1.95億美元，凈虧損收窄28.68%。SiC業(yè)務(wù)在汽車領(lǐng)域顯著增長，Design-ins達(dá)15億美元，Design-wins達(dá)13億美元，70%訂單來自電動(dòng)汽車平臺。汽車業(yè)務(wù)收入同比增長2.5倍，預(yù)計(jì)2025年將繼續(xù)增長75%。晶圓生產(chǎn)方面，8英寸莫霍克谷晶圓廠收入首次超過6英寸晶圓廠，貢獻(xiàn)近4900萬美元。負(fù)面信息是，Wolfspeed預(yù)測第二財(cái)季收入低于預(yù)期，計(jì)劃關(guān)閉美國6英寸SiC工廠并裁員1000人，占員工總數(shù)的20%，以應(yīng)對汽車客戶需求低迷。Wolfspeed歐洲芯片項(xiàng)目或?qū)⑹艽?。德國汽車零部件巨頭采埃孚有意撤資，擬退出與Wolfspeed合作的30億美元德國芯片廠項(xiàng)目。半導(dǎo)體需求疲軟致Wolfspeed暫停項(xiàng)目，并質(zhì)疑歐洲市場價(jià)值。
意法半導(dǎo)體2024 Q3財(cái)報(bào)顯示，年初至今凈營收99.5億美元，Q3凈收入32.5億美元，同比下降26.6%，凈利潤3.51億美元，降67.8%。公司計(jì)劃重塑生產(chǎn)布局，加速300mm Si和200mm SiC晶圓產(chǎn)能，卡塔尼亞廠將加速8英寸SiC產(chǎn)線建設(shè)。
Resonac公布2024年前三季度財(cái)務(wù)業(yè)績，銷售額達(dá)10275億日元，同比增長9.04%，凈利潤515億日元，同比扭虧為盈大增1109.8%。受益于半導(dǎo)體市場復(fù)蘇及AI需求增加，SiC外延片等銷售額增長，公司正推進(jìn)8英寸SiC生產(chǎn)。
英飛凌發(fā)布2024財(cái)年第四季度及全年財(cái)報(bào)。數(shù)據(jù)顯示，第四財(cái)季表現(xiàn)強(qiáng)勁，營收攀升至39.19億歐元，利潤8.32億歐元，利潤率高達(dá)21.2%，實(shí)現(xiàn)雙增長。盡管全年?duì)I收為149.55億歐元，同比下降8%，但利潤仍穩(wěn)定在31.05億歐元，利潤率為20.8%。整體而言，英飛凌在2024財(cái)年保持了穩(wěn)健的盈利能力。由于2025財(cái)年市場疲軟，公司預(yù)期有所降低。英飛凌還在財(cái)報(bào)中表示，公司在2025財(cái)年將減少10%的投資，預(yù)計(jì)投資額為25億歐元，并將推遲馬來西亞居林工廠的二期建設(shè)。
羅姆2024財(cái)年上半年業(yè)績營收2320億日元，同比下滑3%。公司削減SiC業(yè)務(wù)投資至4700億-4800億日元，2024、2025財(cái)年投資額分別降至1500億、1000億日元以下。社長松本功表示，公司已進(jìn)入根據(jù)需求戰(zhàn)略投資SiC的階段。由于市場放緩，SiC業(yè)務(wù)銷售額目標(biāo)推遲至2026-2027年。同時(shí)，8英寸SiC量產(chǎn)計(jì)劃調(diào)整，筑后、宮崎工廠投產(chǎn)時(shí)間不變，但產(chǎn)能提高目標(biāo)延遲一年。
瑞薩電子2024年前三季財(cái)報(bào)顯示，收入10559億日元，凈利潤2003億日元。Q3營收3453億日元，同比下滑9%，凈利潤606億日元，降20.59%。柴田社長稱，因市場低迷，高崎工廠SiC器件生產(chǎn)和商業(yè)化及與Wolfspeed的SiC襯底采購合同早期執(zhí)行將推遲。
德國沉積設(shè)備商愛思強(qiáng)2024年前三季度營收4.064億歐元，毛利率39%。盡管部分項(xiàng)目交付延遲，第三季度營收仍達(dá)1.563億歐元。GaN和SiC設(shè)備需求持續(xù)增長，第三季度訂單量增21%，積壓訂單增至3.845億歐元。公司預(yù)計(jì)2024年全年?duì)I收6.2-6.6億歐元，毛利率43-45%，第四季度營收預(yù)計(jì)2.15-2.55億歐元。展望2025年，增長驅(qū)動(dòng)力穩(wěn)固，但市場需求或緩慢，營收可能與2024年持平或略降。
Axcelis在第三季度實(shí)現(xiàn)了穩(wěn)健增長，營收達(dá)到2.566億美元（折合人民幣約18.37億元），與2024年第二季度基本持平（2.565億美元）。這一穩(wěn)健表現(xiàn)主要?dú)w功于SiC市場的長期增長潛力。Axcelis的長期增長機(jī)會依然良好，得益于多個(gè)積極因素的共同作用：SiC市場的強(qiáng)勁增長趨勢，內(nèi)存和一般成熟市場的周期性復(fù)蘇，先進(jìn)邏輯市場份額的持續(xù)提升，以及在日本市場的深入滲透。
環(huán)球晶圓第三季營收達(dá)新臺幣159億元（約35.31億元人民幣），毛利率和凈利率均有所下滑，但仍優(yōu)于上季。受電費(fèi)高、折舊高及產(chǎn)能未全開影響，加之SiC市場面臨需求放緩、供給過剩及價(jià)格競爭等挑戰(zhàn)，導(dǎo)致SiC量價(jià)齊跌，影響了環(huán)球晶圓的產(chǎn)品組合表現(xiàn)。
Qorvo公布2025財(cái)年第二季度財(cái)務(wù)業(yè)績，營收10.47億美元，同比下降5.2%，凈虧損0.17億美元?？偛肦obert Bruggeworth透露，公司正在評估SiC業(yè)務(wù)的戰(zhàn)略替代方案，考慮是否退出該市場。盡管在JFET SiC技術(shù)上取得進(jìn)步，但Qorvo認(rèn)為新戰(zhàn)略方案能創(chuàng)造更多價(jià)值。
士蘭微電子2024 Q3營收28.89億，增19.22%，歸母凈利潤5380萬，增20184萬。士蘭微電子表示，公司正加速子公司士蘭明鎵6英寸SiC芯片產(chǎn)能建設(shè)，月產(chǎn)已達(dá)0.9萬片，計(jì)劃未來加大投入，推動(dòng)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)升級。上半年，士蘭微電子IGBT和SiC模塊、器件營收已達(dá)7.83億元，較去年同期增長30%以上。
斯達(dá)半導(dǎo)三季報(bào)顯示，前三季度營收24.15億降7.8%，凈利潤4.23億降35.69%，因部分產(chǎn)品價(jià)格下降、毛利率下滑及研發(fā)投入增加。第三季度凈利潤1.49億，同比下降34.91%。
技術(shù)進(jìn)展持續(xù)
美國Cohu公司通過Neon系統(tǒng)正式進(jìn)軍SiC老化測試市場，該系統(tǒng)已被歐洲領(lǐng)先SiC客戶訂購。Neon系統(tǒng)能快速處理和檢測高功率SiC芯片，支持高達(dá)2500V測試和3000W散熱，配備AI六面光學(xué)檢測技術(shù)，能同時(shí)測試多達(dá)150個(gè)器件，標(biāo)志著Cohu在SiC領(lǐng)域的業(yè)務(wù)拓展。
印度國防研究與發(fā)展組織（DRDO）下屬的固體物理實(shí)驗(yàn)室成功開發(fā)出本土4英寸SiC晶片制造工藝。印度國防部指出，SiC/GaN技術(shù)是國防、航空航天和清潔能源領(lǐng)域的關(guān)鍵推動(dòng)因素，可提高器件效率、減小尺寸和重量，并增強(qiáng)性能。位于海得拉巴邦的SiC/GaN技術(shù)中心能初步生產(chǎn)GaN-on-SiC MMIC，滿足新一代太空、航空航天和5G/衛(wèi)星通信的廣泛應(yīng)用需求。
芬蘭Kempower宣布其下一代充電平臺采用SiC技術(shù)和電源模塊V2，已向客戶大量交付。新平臺功率因數(shù)高達(dá)0.99，效率超96%，總諧波失真<3%，可降低電力成本，提供相同充電功率。該平臺可與新型Kempower電源單元配合使用，也用于站式充電器訂單，北美市場預(yù)計(jì)2024年第四季度開始交付。
上海合晶硅材料公司獲得“一種SiC襯底的雙面磨削裝置”專利，授權(quán)公告號CN 221952948 U。該裝置設(shè)夾持與打磨機(jī)構(gòu)，限位輪實(shí)現(xiàn)豎向定位，碎屑直接掉落避免損傷，三角形卡槽增強(qiáng)固定，適用于不同尺寸襯底，且僅需一電機(jī)驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)，降低成本，提升良品率。
廣汽埃安、小鵬、北汽及長安已導(dǎo)入SiC技術(shù)于增程及純電車型。廣汽埃安AION RT系列采用SiC 400V電驅(qū)，價(jià)格親民且續(xù)航提升30km。小鵬推出“鯤鵬超級電動(dòng)體系”，實(shí)現(xiàn)電驅(qū)輕量化，提升續(xù)航及效率，減少SiC芯片用量同時(shí)輸出功率提升10%。吉利插混系統(tǒng)也采用混碳功率模塊，擴(kuò)展SiC應(yīng)用場景。這些創(chuàng)新推動(dòng)電動(dòng)汽車行業(yè)發(fā)展。
紅旗自主研發(fā)的7KW直流充電樁樣機(jī)已成功開發(fā)并通過新能源汽車檢驗(yàn)中心測試，采用1200V高壓SiC器件驅(qū)動(dòng)控制及高功率密度機(jī)電一體化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，適配1000V以下車輛，典型電網(wǎng)異常波形通過率100%，實(shí)現(xiàn)全域高效補(bǔ)能，滿載效率高達(dá)96%，技術(shù)指標(biāo)達(dá)行業(yè)領(lǐng)先水平。
連科數(shù)控旗下連科半導(dǎo)體的8英寸碳化硅電阻式長晶爐在客戶現(xiàn)場完成批量驗(yàn)收，標(biāo)志著其8英寸電阻爐量產(chǎn)進(jìn)入國內(nèi)第一梯隊(duì)。連科半導(dǎo)體的電阻爐通過石墨電阻發(fā)熱，由熱輻射傳導(dǎo)石墨坩堝進(jìn)行加熱，可調(diào)整石墨加熱器的結(jié)構(gòu)，有效的進(jìn)行分區(qū)功率控制和溫場的控制，更適合生長大尺寸的碳化硅晶體。
《人工晶體學(xué)報(bào)》刊登題為《8英寸SiC晶圓制備與外延應(yīng)用》的研究論文，由天域半導(dǎo)體丁雄杰博士團(tuán)隊(duì)聯(lián)合南砂晶圓、清純半導(dǎo)體、芯三代共同發(fā)表。該研究團(tuán)隊(duì)由南砂晶圓采用PVT法制備了厚度為500 μm的8英寸導(dǎo)電型4H-SiC襯底晶圓，其平均基平面位錯(cuò)（BPD）密度低至251cm-2，平均螺位錯(cuò)（TSD）密度小于1 cm-2，實(shí)現(xiàn)了近“零TSD”和低BPD密度的8英寸導(dǎo)電型4H-SiC襯底晶圓的制備，可以滿足生產(chǎn)需要。
由中電科46所、哈爾濱工業(yè)大學(xué)聯(lián)合發(fā)表了一篇題為《降低8 英寸碳化硅單晶 BPD 密度的數(shù)值模擬和實(shí)驗(yàn)研究》的論文透露，他們通過各種創(chuàng)新工藝，可以將BPD 密度降低到 704 cm-2。他們發(fā)現(xiàn)：在生長過程中，隨著 SiC 晶體厚度增加，剪切應(yīng)力和位錯(cuò)密度也隨之增加，在冷卻過程中，剪切應(yīng)力會相應(yīng)增加，然而，位錯(cuò)密度在初始冷卻階段也會增加，但在后期冷卻階段卻保持相對穩(wěn)定。
合作不斷加強(qiáng)
韓國SiC襯底企業(yè)Senic與美國激光切割企業(yè)Halo Industries在“ICSCRM2024”會議上簽署了MOU，旨在加強(qiáng)SiC晶圓供應(yīng)和加工合作。雙方計(jì)劃提高資本效率，縮短產(chǎn)品上市時(shí)間，降低成本，增加客戶價(jià)值。Senic希望通過緊密合作，改善6英寸和正在開發(fā)的8英寸SiC晶圓的加工質(zhì)量和降低成本。Halo Industries專注于多種材料的激光加工技術(shù)，此次合作將為雙方帶來互利共贏的發(fā)展機(jī)遇。
Nexperia與KOSTAL建立戰(zhàn)略合作關(guān)系，共同開發(fā)寬禁帶器件以滿足汽車應(yīng)用需求。初期合作將聚焦于電動(dòng)汽車車載充電器的SiC MOSFET器件。KOSTAL憑借百年行業(yè)經(jīng)驗(yàn)，為全球近半數(shù)汽車提供產(chǎn)品，包括450萬個(gè)車載充電器，對電動(dòng)汽車發(fā)展貢獻(xiàn)顯著。
芯合半導(dǎo)體與東瑞焊接合作成立“SiC焊機(jī)聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室”，旨在SiC功率器件及焊機(jī)應(yīng)用研發(fā)、供應(yīng)鏈建設(shè)等方面合作，強(qiáng)化自主可控產(chǎn)業(yè)鏈。雙方將評估SiC器件在七大系列焊機(jī)中的應(yīng)用，開發(fā)高效焊機(jī)產(chǎn)品。東瑞焊接對芯合產(chǎn)品的一致性和可靠性表示高度認(rèn)可。
Stellantis集團(tuán)與英飛凌攜手合作，共同開發(fā)電動(dòng)汽車動(dòng)力架構(gòu)，并簽署供應(yīng)協(xié)議。英飛凌將為Stellantis提供PROFET?智能電源開關(guān)和SiC CoolSiC?半導(dǎo)體，助力其標(biāo)準(zhǔn)化動(dòng)力模塊，提升電動(dòng)汽車性能和效率。雙方還建立聯(lián)合動(dòng)力實(shí)驗(yàn)室，探索下一代智能動(dòng)力架構(gòu)。英飛凌憑借全球領(lǐng)先的SiC晶圓廠及合作伙伴，滿足汽車半導(dǎo)體市場需求。
吉利汽車功率半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新平臺揭牌，晶能微電子發(fā)布首期成果——太乙混合功率器件。該器件采用SiC&IGBT并聯(lián)設(shè)計(jì)，峰值功率高達(dá)260KW，系統(tǒng)尺寸小，出流能力強(qiáng)。平臺匯聚多家功率半導(dǎo)體企業(yè)和科研院所，將加速第三代寬禁帶半導(dǎo)體等芯片在汽車領(lǐng)域的研發(fā)與應(yīng)用，為新能源汽車產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入新動(dòng)力。
芯塔電子成為安徽芯塔與杰華特的合資公司，主營SiC功率模組業(yè)務(wù)。依托湖州封裝產(chǎn)線，結(jié)合雙方芯片研發(fā)優(yōu)勢，致力于開發(fā)高性能、高可靠性車規(guī)級模塊。此次合作將強(qiáng)化雙方在SiC模組封測領(lǐng)域的競爭力，推動(dòng)市場拓展、應(yīng)用開發(fā)、技術(shù)創(chuàng)新與資源整合，實(shí)現(xiàn)共贏發(fā)展。杰華特作為虛擬IDM企業(yè)，產(chǎn)品廣泛，此次合作將進(jìn)一步豐富其業(yè)務(wù)版圖。
芯能半導(dǎo)體與芯合半導(dǎo)體攜手成立“SiC功率模塊聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室”，旨在融合雙方優(yōu)勢，共同推進(jìn)SiC功率模塊的研發(fā)、生產(chǎn)和應(yīng)用。芯能半導(dǎo)體已發(fā)布國內(nèi)首款SiC智能功率模塊并量產(chǎn)，其合肥工廠也已運(yùn)營。芯合半導(dǎo)體則專注于SiC芯片設(shè)計(jì)與制造，北京晶圓廠已出貨。
法雷奧攜手羅姆，共繪電動(dòng)出行藍(lán)圖。雙方整合功率電子專長，首發(fā)TRCDRIVE pack? SiC模組，賦能法雷奧次世代動(dòng)力系統(tǒng)。預(yù)計(jì)2026年首批交付，旨在延展續(xù)航，提速快充，締造BEV/PHEV性價(jià)比新標(biāo)。
瀾芯半導(dǎo)體與無錫華騰新能技術(shù)有限公司達(dá)成戰(zhàn)略合作，雙方就功率半導(dǎo)體在商用車DCDC、熱泵控制器等領(lǐng)域的應(yīng)用展開深度合作，為終端客戶提供一站式定制服務(wù)解決方案。瀾芯半導(dǎo)體1200V 80mΩ和30mΩ SiC MOSFET在華騰新能3.3kW和6.6kW DCDC產(chǎn)品上的出色應(yīng)用得到合作伙伴的深度認(rèn)可，結(jié)合華騰新能在系統(tǒng)開發(fā)方面的技術(shù)優(yōu)勢，同比友商競品產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)明顯效率提升。
日本經(jīng)產(chǎn)省大力扶持電裝與富士電機(jī)SiC項(xiàng)目，總投2116億日元，政府助705億。電裝專司SiC襯底，富士電機(jī)制器件，目標(biāo)年產(chǎn)31萬片，2027年5月供貨。電裝2023年投資Silicon Carbide LLC，確保6/8寸襯底；與三菱電機(jī)、Coherent簽長協(xié)，穩(wěn)固材料鏈。富士電機(jī)2000億日元投向EV控件，新建SiC產(chǎn)線，展現(xiàn)日本SiC行業(yè)進(jìn)取姿態(tài)。
量產(chǎn)應(yīng)用穩(wěn)健
三菱電機(jī)在SiC產(chǎn)線建設(shè)上取得重要進(jìn)展，其位于日本熊本縣的8英寸SiC工廠預(yù)計(jì)將于2025年11月正式投產(chǎn)，比原計(jì)劃提前約5個(gè)月。該工廠占地4.2萬平米，專注于8英寸SiC晶圓的前端工藝，將大幅提升三菱電機(jī)在SiC功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的產(chǎn)能和競爭力。此外，三菱電機(jī)還設(shè)定了明確的銷售目標(biāo)，計(jì)劃到2030年將功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)中的SiC銷售比例提高至30%以上，并計(jì)劃在2026年前將SiC產(chǎn)能提升5倍，以擴(kuò)大在全球SiC功率半導(dǎo)體市場的份額，進(jìn)一步推動(dòng)電動(dòng)汽車行業(yè)的持續(xù)發(fā)展。
悉智科技宣布自研高端電驅(qū)SiC-DCM塑封功率模塊已成功量產(chǎn)，突破1萬顆生產(chǎn)里程碑，標(biāo)志著SiC塑封功率模塊國產(chǎn)化取得顯著進(jìn)展。該產(chǎn)品性能出色、質(zhì)量穩(wěn)定，獲國內(nèi)外知名OEM廠商信賴，已應(yīng)用于智己汽車。經(jīng)測試，其電、熱、力性能優(yōu)于國際競品，展現(xiàn)悉智科技在功率模塊封裝技術(shù)上的強(qiáng)大實(shí)力。
嵐圖知音，東風(fēng)嵐圖與華為合作新車型，正式上市。該車以901km超長續(xù)航和全域800V平臺技術(shù)為亮點(diǎn)，核心競爭力在于三電、豪華智能、機(jī)械素質(zhì)和車內(nèi)空間領(lǐng)先。采用自研800VSiC平臺和5C超充技術(shù)，15分鐘充電續(xù)航超500km。致瞻科技為其提供SiC電源模組，已推出多款領(lǐng)先SiC產(chǎn)品，成為小米汽車、華為、比亞迪等主流車企的長期合作伙伴。
林眾電子研發(fā)及智能質(zhì)造中心近日正式啟用，該中心位于上海松江區(qū)，占地35畝，總投資近5億，建筑面積近6萬平米。啟用后，將容納超30條自動(dòng)化生產(chǎn)線，年產(chǎn)能達(dá)3000萬顆功率模組，涵蓋IGBT和SiC芯片，廣泛應(yīng)用于新能源行業(yè)。林眾電子車規(guī)級SiC產(chǎn)品包括單面水冷塑封、全橋灌封等模塊，采用先進(jìn)技術(shù)提升產(chǎn)品可靠性。
三安光電湖南三安SiC配套產(chǎn)能已達(dá)16,000片/月，計(jì)劃擴(kuò)產(chǎn)至36萬片/年，8英寸SiC襯底已小批量出貨，芯片產(chǎn)線正在安裝調(diào)試。重慶三安襯底廠已點(diǎn)亮通線，產(chǎn)能1,000片/月。同時(shí)，湖南三安車規(guī)級SiC MOSFET已小批量出貨，主驅(qū)逆變器用產(chǎn)品正在重點(diǎn)客戶處驗(yàn)證。
芯聯(lián)集成宣布，蔚來旗下全新品牌樂道首款車型樂道L60采用了其供應(yīng)的碳化硅模塊。樂道L60是同級別車型中唯一采用全域900V高壓平臺架構(gòu)的車型，其主電驅(qū)系統(tǒng)搭載的蔚來自研1200V SiC碳化硅功率模塊，融合了芯聯(lián)集成提供的高性能碳化硅模塊制造技術(shù)。芯聯(lián)集成也將為廣汽埃安旗下全系新車型提供高性能的碳化硅MOSFET與硅基IGBT芯片和模塊。
揚(yáng)州國揚(yáng)電子喜獲國內(nèi)重點(diǎn)車企定點(diǎn)，將批量供應(yīng)車規(guī)級塑封SiC功率部件。依托國基南方、55所SiC全產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢，雙方聯(lián)合研發(fā)主驅(qū)用SiC部件，推出750V/1200V SiC MOSFET芯片及塑封多合一功率組件。
力合科創(chuàng)投資孵化的基本半導(dǎo)體與廣汽埃安圍繞車規(guī)級碳化硅功率模塊的上車應(yīng)用持續(xù)展開合作，為其提供技術(shù)解決方案。其中，Pcore?6汽車級碳化硅功率模塊等產(chǎn)品已經(jīng)在埃安Hyper SSR、GT、HT等多個(gè)車型上實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
新品層出不窮
先來看設(shè)備方面，浙江省經(jīng)濟(jì)和信息局組織召開了瑤光半導(dǎo)體（浙江）有限公司的浙江省首臺套產(chǎn)品工程化攻關(guān)項(xiàng)目“SiC激光退火設(shè)備”專家驗(yàn)收會?，幑獍雽?dǎo)體自主研發(fā)的激光退火設(shè)備，具有掃描速度快、控制精度高、能耗低等優(yōu)勢，能夠有效改善SiC材料的微觀結(jié)構(gòu)，提高器件的性能和可靠性，同時(shí)滿足了市場對高品質(zhì)、高效率生產(chǎn)的需求。該設(shè)備的成功研制，不僅滿足了市場需求，也推動(dòng)了半導(dǎo)體制造技術(shù)的進(jìn)步。
天津環(huán)博科技自主研發(fā)的業(yè)內(nèi)首臺SiC脫膠清洗插片一體機(jī)已成功交付給頭部SiC企業(yè)。該設(shè)備整合了傳統(tǒng)手工多道工序，實(shí)現(xiàn)了工藝創(chuàng)新。截至目前，環(huán)博科技已在半導(dǎo)體、光伏領(lǐng)域交付400余臺設(shè)備，展現(xiàn)了其在濕法設(shè)備領(lǐng)域的強(qiáng)大實(shí)力。
再來看器件和模塊，英飛凌推出HybridPACK Drive G2 Fusion模塊，巧妙結(jié)合硅與SiC技術(shù)，為電動(dòng)汽車牽引逆變器設(shè)立新標(biāo)準(zhǔn)。此模塊平衡性能與成本，利用SiC高熱導(dǎo)率、高擊穿電壓及快速開關(guān)特性，提升效率，同時(shí)降低SiC含量，僅需30% SiC搭配70%硅面積，即達(dá)近全SiC系統(tǒng)效率，提供高性價(jià)比方案，滿足長續(xù)航需求，不增系統(tǒng)復(fù)雜性。
博世推出新一代SiC功率模塊PM6，該模塊采用自研第二代溝槽型SiC技術(shù)，單位面積導(dǎo)通電阻降低30%，短路魯棒性提升，支持400V/800V系統(tǒng)。PM6具備創(chuàng)造性結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，支持靈活輸出功率范圍。其獨(dú)特的功率端子連接設(shè)計(jì)結(jié)合激光焊接技術(shù)，大幅降低寄生電感。信號連接器設(shè)計(jì)靈活，兼容多種引腳選項(xiàng)。采用領(lǐng)先轉(zhuǎn)模塑封工藝及三明治結(jié)構(gòu)，結(jié)合CTE匹配材料和芯片雙面銀燒結(jié)技術(shù)，PM6顯著提升功率模塊可靠性和使用壽命。
三菱電機(jī)也將交付新型溝槽式SiC MOSFET裸片樣品，主要用于電動(dòng)汽車逆變器。該MOSFET結(jié)合專有芯片結(jié)構(gòu)和制造技術(shù)，優(yōu)化逆變器性能，延長行駛里程，提高能源效率，助力電動(dòng)汽車脫碳。與傳統(tǒng)平面式相比，新型溝槽式SiC MOSFET功率損耗降低約50%，得益于獨(dú)特芯片設(shè)計(jì)和制造技術(shù)。
同為日本廠商的東芝也推出了X5M007E120 1200VSiC MOSFET，專為汽車牽引逆變器設(shè)計(jì)。該MOSFET采用創(chuàng)新結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了低導(dǎo)通電阻和高可靠性。通過嵌入肖特基勢壘二極管(SBD)而不用體二極管，解決了傳統(tǒng)SiC MOSFET在反向傳導(dǎo)操作時(shí)可靠性降低的問題。其測試樣品現(xiàn)已發(fā)貨供客戶評估。
納微半導(dǎo)體推出全球首款8.5kW AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源，采用GaN和SiC混合設(shè)計(jì)，效率超97.5%，適配AI及超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心。該電源輸出電壓54V，符合OCP和ORv3規(guī)范，采用高功率GaNSafe?和第三代SiC MOSFET，實(shí)現(xiàn)最高效率和最佳性能，減少無源器件數(shù)量。三相拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)降低紋波電流和EMI，器件數(shù)量減少25%，降低成本。輸入電壓180-264 Vac，待機(jī)12V，工作溫度-5°C至45°C。
三安光電發(fā)布高性能SiC功率產(chǎn)品，覆蓋1700V及2000V系列，亮點(diǎn)包括低導(dǎo)通電阻MOSFET、高電流二極管等。其中，2000V 40A二極管已面世，20A版將于2024年底推出，2000V 35mΩMOSFET預(yù)計(jì)2025年發(fā)布。這些SiC器件在光伏、電動(dòng)汽車、儲能及高壓電網(wǎng)等領(lǐng)域展現(xiàn)卓越效率，助力提升電力傳輸，減少損耗，增強(qiáng)系統(tǒng)穩(wěn)定性。
天岳先進(jìn)成功交付高質(zhì)量低阻P型SiC襯底，推動(dòng)高性能SiC-IGBT發(fā)展，助力高端特高壓功率器件國產(chǎn)化。針對成本高、電阻率高等技術(shù)難題，天岳先進(jìn)在液相法領(lǐng)域取得重大突破，推出4度偏角P型SiC襯底，電阻率小于200mΩ?cm，面內(nèi)分布均勻，結(jié)晶性佳，標(biāo)志著向更高電壓領(lǐng)域邁進(jìn)重要一步。
天岳先進(jìn)還發(fā)布了業(yè)界首款300mm SiC襯底產(chǎn)品，標(biāo)志著超大尺寸SiC襯底新時(shí)代的到來。該產(chǎn)品刷新行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，吸引廣泛關(guān)注，滿足新能源汽車、光伏儲能、5G通訊等行業(yè)對高性能SiC材料的迫切需求。300mm襯底大幅提升芯片產(chǎn)量，降低成本，為SiC廣泛應(yīng)用提供可能。
東芝發(fā)布新款1200V SiC MOSFET X5M007E120，專為車載牽引逆變器設(shè)計(jì)。新產(chǎn)品內(nèi)置的SBD采用創(chuàng)新的格紋形態(tài)排列，相較于條形形態(tài)，能更高效抑制器件體二極管的雙極通電，即使面積相同，單極工作上限也能翻倍。此外，這種排列還提升了通道密度，單位面積導(dǎo)通電阻降低20%-30%。這些優(yōu)勢不僅提高了器件性能，還確保了反向?qū)üぷ鞯目煽啃裕行Ч?jié)省電機(jī)控制逆變器電能消耗。
西門子智能基礎(chǔ)設(shè)施集團(tuán)推出SIMATIC ET 200SP全電子啟動(dòng)器，采用SiC MOSFET技術(shù)，提供超高速短路保護(hù)，關(guān)斷時(shí)間小于4微秒，比傳統(tǒng)斷路器快1000倍。該啟動(dòng)器專為應(yīng)對工業(yè)短路和高效電機(jī)啟動(dòng)挑戰(zhàn)設(shè)計(jì)，能中和浪涌電流，減輕電網(wǎng)負(fù)荷，減少機(jī)械磨損，降低維護(hù)成本。
瞻芯電子推出TC3Pak頂部散熱封裝1200V SiC MOSFET，IV2Q12040K1Z與IV2Q12080K1Z通過AEC-Q101認(rèn)證，具高頻低損特點(diǎn)。TC3Pak直觸散熱，不依靠PCB大幅降溫，Kelvin源極防尖峰，優(yōu)化開關(guān)損耗。它適用于車載充電、DC/DC、空壓機(jī)控、光伏逆變與AC/DC電源，促高效高密電源設(shè)計(jì)。
揚(yáng)杰科技全新TO-263-7L、TOLL、T2PAK系列SiC MOSFET，專攻光伏逆變、充電樁與電源市場。它采用開爾文連接，顯著縮短開關(guān)周期，削減能量損失，賦能高頻操作與敏捷反應(yīng)。對比傳統(tǒng)插腳組件，縮減電路板占地面積，推進(jìn)模塊化集成進(jìn)程，理想匹配高功高效電子系統(tǒng)需求。
